E_bike应用中MOS管重要参数对比 MOS BVdss Rds(on) Vgs(th) Vgss Is Ism Qg SSF7509D 80.0 6.5 2.8 ±30 80 320 100 SSF7510 80.0 7.0 2.7 ±30 75 300 90 RJK0822 80.0 7.2 3.0 ±20 80 320 63 ST75NF75 80.0 8.5 3.0 ±20 75 300 160 IRFB3607PbF 75.0 7.5 3.0 ±20 75 310 56 　 　 　 　 　 　 　 　 MOS Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf SSF7509D 3200.0 330.0 260.0 20.0 17.8 76.8 15.7 SSF7510 3150.0 300.0 240.0 18.2 15.2 70.5 13.8 RJK0822 3880.0 540.0 260.0 40.0 244.0 100.0 20.0 ST75NF75 3820.0 610.0 130.0 13.0 64.0 49.0 48.0 IRFB3607PbF 3070.0 280.0 130.0 16.0 110.0 43.0 96.0 Ciss:栅短路共源输入电容 Coss:栅短路共源输出电容 Crss:栅短路共源反向传输电容 to(on):开通延迟时间 td(off):关断延迟时间 tr:上升时间 tf:下降时间 Qg :栅极总充电电量 Is :连续最大续流电流(从源极). Ism :脉冲最大续流电流(从源极). Vgsth) :开启电压(阀值电压) Vgss :最大栅源电压 Rds:漏源电阻 BVdss:漏源击穿电压 专业提件供电动车用电子元件