标准包装 :50
类别 分立半导体产品
家庭 :FET - 单
系列 :HEXFET®
包装 管件
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压 (Vdss): 150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） :104A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）: 11 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 5270pF @ 50V
功率 - 最大值 :380W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3

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