标准包装 :50
类别 : 分立半导体产品
家庭 : FET - 单
系列 : HEXFET®
包装 : 管件
FET 类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 : 标准
漏源极电压 (Vdss) : 150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） : 85A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） : 15 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） : 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)  :110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)  :4460pF @ 50V
功率 - 最大值  :350W
安装类型 : 通孔
封装/外壳  :TO-220-3

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