标准包装 :1,000
类别 :分立半导体产品
家庭 :FET - 单
系列: -
包装 :管件
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 :标准
漏源极电压 (Vdss) :75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）: 80A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）: 11.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :4700pF @ 30V
功率 - 最大值 :268W
安装类型 :通孔
封装/外壳 :TO-220-3

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